Vishay General Semiconductor – Diodes Division / GB35XF120K
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
GB35XF120K
| Fabrikant Deel Zuel: | GB35XF120K |
| Fabrikant beschwéiert: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Deel vun Beschreiwung: | IGBT MODULE 1200V 50A 284W |
| Datenblätter: | GB35XF120K Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division GB35XF120K ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | - |
| Deel Status | Obsolete |
| IGBT Typ | NPT |
| Konfiguratioun | Three Phase Inverter |
| Spannung - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Stroum - Sammler (Ic) (Max) | 50 A |
| Kraaft - Max | 284 W |
| Vce (an) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Stroum - Collector Cutoff (Max) | 100 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.475 nF @ 30 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Betribssystemer Temperatur | 150°C (TJ) |
| Opriichte Typ | Chassis Mount |
| Package / Fall | ECONO2 |
| Fournisseur Device Package | - |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
Populär Modeller
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.