ROHM Semiconductor / BSM300D12P3E005
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
BSM300D12P3E005
| Fabrikant Deel Zuel: | BSM300D12P3E005 |
| Fabrikant beschwéiert: | ROHM Semiconductor |
| Deel vun Beschreiwung: | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | Bulk |
| Deel Status | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 91mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Kraaft - Max | 1260W (Tc) |
| Betribssystemer Temperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opriichte Typ | Chassis Mount |
| Package / Fall | Module |
| Fournisseur Device Package | Module |
Stock Status: 9
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
Populär Modeller
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.