Comchip Technology / CDBGBSC20650-G
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
CDBGBSC20650-G
| Fabrikant Deel Zuel: | CDBGBSC20650-G |
| Fabrikant beschwéiert: | Comchip Technology |
| Deel vun Beschreiwung: | DIODE DUAL SIC 20A 650V TO-247 |
| Datenblätter: | CDBGBSC20650-G Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- Comchip Technology CDBGBSC20650-G ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | Tube |
| Deel Status | Active |
| Diode Konfiguratioun | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Aktuell - Duerchschnëtt Rectifizéiert (Io) (pro Diode) | 33A (DC) |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ Wann | 1.7 V @ 10 A |
| Geschwindegkeet | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Stroum - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Betribstemperatur - Kräizung | -55°C ~ 175°C |
| Opriichte Typ | Through Hole |
| Package / Fall | TO-247-3 |
| Fournisseur Device Package | TO-247 |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
Populär Modeller
 |
Comchip Technology |
|
Comchip Technology |
|
Comchip Technology |
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.