GT30J341,Q

Fabrikant Deel Zuel:	GT30J341,Q
Fabrikant beschwéiert:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Deel vun Beschreiwung:	IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J341,Q ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	-
Package	Tray
Deel Status	Active
IGBT Typ	-
Spannung - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Stroum - Sammler (Ic) (Max)	59 A
Stroum - Collector Pulsed (Icm)	120 A
Vce (an) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 30A
Kraaft - Max	230 W
Wiessel Energie	800µJ (on), 600µJ (off)
Input Typ	Standard
Gate Charge	-
Td (un / aus) @ 25 ° C	80ns/280ns
Test Zoustand	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	50 ns
Betribssystemer Temperatur	175°C (TJ)
Opriichte Typ	Through Hole
Package / Fall	TO-3P-3, SC-65-3
Fournisseur Device Package	TO-3P(N)

KEE OPTIONEN

Stock Status: Selwechten Dag Versand

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.