BSM180D12P3C007

Fabrikant Deel Zuel:	BSM180D12P3C007
Fabrikant beschwéiert:	ROHM Semiconductor
Deel vun Beschreiwung:	SIC POWER MODULE
Datenblätter:	BSM180D12P3C007 Datenblätter
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	-
Package	Bulk
Deel Status	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Kraaft - Max	880W
Betribssystemer Temperatur	175°C (TJ)
Opriichte Typ	Surface Mount
Package / Fall	Module
Fournisseur Device Package	Module

KEE OPTIONEN

Stock Status: 11

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.