Vishay General Semiconductor – Diodes Division / BY268TAP
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
BY268TAP
| Fabrikant Deel Zuel: | BY268TAP |
| Fabrikant beschwéiert: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Deel vun Beschreiwung: | DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57 |
| Datenblätter: | BY268TAP Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division BY268TAP ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | Tape & Box (TB) |
| Deel Status | Active |
| Dioden Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400 V |
| Aktuell - Duerchschnëtt Gerechtegt (Io) | 800mA |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ Wann | 1.25 V @ 400 mA |
| Geschwindegkeet | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 400 ns |
| Stroum - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 1400 V |
| Kapazitéit @ Vr, F | - |
| Opriichte Typ | Through Hole |
| Package / Fall | SOD-57, Axial |
| Fournisseur Device Package | SOD-57 |
| Betribstemperatur - Kräizung | -55°C ~ 150°C |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.