Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VSSB410S-E3/52T
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
VSSB410S-E3/52T
| Fabrikant Deel Zuel: | VSSB410S-E3/52T |
| Fabrikant beschwéiert: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Deel vun Beschreiwung: | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA |
| Datenblätter: | VSSB410S-E3/52T Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division VSSB410S-E3/52T ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | TMBS® |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Deel Status | Active |
| Dioden Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Aktuell - Duerchschnëtt Gerechtegt (Io) | 1.9A (DC) |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ Wann | 770 mV @ 4 A |
| Geschwindegkeet | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Stroum - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 100 V |
| Kapazitéit @ Vr, F | 230pF @ 4V, 1MHz |
| Opriichte Typ | Surface Mount |
| Package / Fall | DO-214AA, SMB |
| Fournisseur Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Betribstemperatur - Kräizung | -40°C ~ 150°C |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |