Vishay General Semiconductor – Diodes Division / 1N6482HE3/97
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
1N6482HE3/97
| Fabrikant Deel Zuel: | 1N6482HE3/97 |
| Fabrikant beschwéiert: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Deel vun Beschreiwung: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB |
| Datenblätter: | 1N6482HE3/97 Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6482HE3/97 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Deel Status | Active |
| Dioden Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Aktuell - Duerchschnëtt Gerechtegt (Io) | 1A |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ Wann | 1.1 V @ 1 A |
| Geschwindegkeet | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Stroum - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Kapazitéit @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Opriichte Typ | Surface Mount |
| Package / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Fournisseur Device Package | DO-213AB |
| Betribstemperatur - Kräizung | -65°C ~ 175°C |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
Populär Modeller
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Solid State Inc. |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.