ROHM Semiconductor / RFV12TG6SGC9
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
RFV12TG6SGC9
| Fabrikant Deel Zuel: | RFV12TG6SGC9 |
| Fabrikant beschwéiert: | ROHM Semiconductor |
| Deel vun Beschreiwung: | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC |
| Datenblätter: | RFV12TG6SGC9 Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- ROHM Semiconductor RFV12TG6SGC9 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | Tube |
| Deel Status | Active |
| Dioden Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Aktuell - Duerchschnëtt Gerechtegt (Io) | 12A |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ Wann | 2.8 V @ 12 A |
| Geschwindegkeet | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45 ns |
| Stroum - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Kapazitéit @ Vr, F | - |
| Opriichte Typ | Through Hole |
| Package / Fall | TO-220-2 |
| Fournisseur Device Package | TO-220ACFP |
| Betribstemperatur - Kräizung | 150°C (Max) |
Stock Status: 983
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
Populär Modeller
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.