RGT80TS65DGC11

Fabrikant Deel Zuel:	RGT80TS65DGC11
Fabrikant beschwéiert:	ROHM Semiconductor
Deel vun Beschreiwung:	IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Datenblätter:	RGT80TS65DGC11 Datenblätter
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC11 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	-
Package	Tube
Deel Status	Active
IGBT Typ	Trench Field Stop
Spannung - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Stroum - Sammler (Ic) (Max)	70 A
Stroum - Collector Pulsed (Icm)	120 A
Vce (an) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 40A
Kraaft - Max	234 W
Wiessel Energie	-
Input Typ	Standard
Gate Charge	79 nC
Td (un / aus) @ 25 ° C	34ns/119ns
Test Zoustand	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	58 ns
Betribssystemer Temperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Opriichte Typ	Through Hole
Package / Fall	TO-247-3
Fournisseur Device Package	TO-247N

KEE OPTIONEN

Stock Status: 111

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

	RGT8TM65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
	RGT8NS65DGTL ROHM Semiconductor
	RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.