Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
| Fabrikant Deel Zuel: | TPN2010FNH,L1Q |
| Fabrikant beschwéiert: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Deel vun Beschreiwung: | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| Datenblätter: | TPN2010FNH,L1Q Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Deel Status | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipatioun (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Betribssystemer Temperatur | 150°C (TJ) |
| Opriichte Typ | Surface Mount |
| Fournisseur Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Package / Fall | 8-PowerVDFN |
Stock Status: 2244
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
