Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
Fabrikant Deel Zuel: | IMW120R350M1HXKSA1 |
Fabrikant beschwéiert: | IR (Infineon Technologies) |
Deel vun Beschreiwung: | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 |
Datenblätter: | IMW120R350M1HXKSA1 Datenblätter |
Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
Stock Conditioun: | Op Lager |
Schëff Vun: | Hong Kong |
Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreiwung |
---|---|
Serie | CoolSiC™ |
Package | Tube |
Deel Status | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2 kV |
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 18 V |
Vgs (Max) | +23V, -7V |
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds | 182 pF @ 800 V |
FET Feature | - |
Power Dissipatioun (Max) | 60W (Tc) |
Betribssystemer Temperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Opriichte Typ | Through Hole |
Fournisseur Device Package | PG-TO247-3-41 |
Package / Fall | TO-247-3 |
Stock Status: 160
Minimum: 1
Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
---|---|---|
![]() Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent