ROHM Semiconductor / R6050JNZ4C13
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
R6050JNZ4C13
| Fabrikant Deel Zuel: | R6050JNZ4C13 |
| Fabrikant beschwéiert: | ROHM Semiconductor |
| Deel vun Beschreiwung: | MOSFET N-CH 600V 50A TO247G |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- ROHM Semiconductor R6050JNZ4C13 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | Tube |
| Deel Status | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipatioun (Max) | 615W (Tc) |
| Betribssystemer Temperatur | 150°C (TJ) |
| Opriichte Typ | Through Hole |
| Fournisseur Device Package | TO-247G |
| Package / Fall | TO-247-3 |
Stock Status: 596
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
Populär Modeller
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
|
ROHM Semiconductor |
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.