STU10NM60N

Fabrikant Deel Zuel:	STU10NM60N
Fabrikant beschwéiert:	STMicroelectronics
Deel vun Beschreiwung:	MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Datenblätter:	STU10NM60N Datenblätter
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: STMicroelectronics STU10NM60N ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	MDmesh™ II
Package	Tube
Deel Status	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds	540 pF @ 50 V
FET Feature	-
Power Dissipatioun (Max)	70W (Tc)
Betribssystemer Temperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Opriichte Typ	Through Hole
Fournisseur Device Package	I-PAK
Package / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

KEE OPTIONEN

Stock Status: 2993

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

	STU10NM60N STMicroelectronics
	STU16N60M2 STMicroelectronics
	STU16N65M2 STMicroelectronics
	STU16N65M5 STMicroelectronics
	STU150N3LLH6 STMicroelectronics
	STU10N60M2 STMicroelectronics
	STU10P6F6 STMicroelectronics
	STU11NM60ND STMicroelectronics
	STU13NM60N STMicroelectronics
	STU13N65M2 STMicroelectronics

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.