STP26NM60ND

Fabrikant Deel Zuel:	STP26NM60ND
Fabrikant beschwéiert:	STMicroelectronics
Deel vun Beschreiwung:	MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Datenblätter:	STP26NM60ND Datenblätter
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: STMicroelectronics STP26NM60ND ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	FDmesh™ II
Package	Tube
Deel Status	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds	1817 pF @ 100 V
FET Feature	-
Power Dissipatioun (Max)	190W (Tc)
Betribssystemer Temperatur	150°C (TJ)
Opriichte Typ	Through Hole
Fournisseur Device Package	TO-220
Package / Fall	TO-220-3

KEE OPTIONEN

Stock Status: Selwechten Dag Versand

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

	STP20NM50FP STMicroelectronics
	STP26NM60ND STMicroelectronics
	STP28N65M2 STMicroelectronics
	STP20N95K5 STMicroelectronics
	STP23NM60N STMicroelectronics
	STP25NM60N STMicroelectronics
	STP22NF03L STMicroelectronics
	STP21N65M5 STMicroelectronics
	STP265N6F6AG STMicroelectronics
	STP26NM60N STMicroelectronics

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.