SI4100DY-T1-E3

Fabrikant Deel Zuel:	SI4100DY-T1-E3
Fabrikant beschwéiert:	Vishay / Siliconix
Deel vun Beschreiwung:	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Datenblätter:	SI4100DY-T1-E3 Datenblätter
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: Vishay / Siliconix SI4100DY-T1-E3 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Deel Status	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C	6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 50 V
FET Feature	-
Power Dissipatioun (Max)	2.5W (Ta), 6W (Tc)
Betribssystemer Temperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Opriichte Typ	Surface Mount
Fournisseur Device Package	8-SO
Package / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

KEE OPTIONEN

Stock Status: 10617

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.