RQ3E120BNTB

Fabrikant Deel Zuel:	RQ3E120BNTB
Fabrikant beschwéiert:	ROHM Semiconductor
Deel vun Beschreiwung:	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Datenblätter:	RQ3E120BNTB Datenblätter
Bleif gratis Status / RoHS Status:	Bleiffräi / RoHS konform
Stock Conditioun:	Op Lager
Schëff Vun:	Hong Kong
Liwwerung Wee:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARK: ROHM Semiconductor RQ3E120BNTB ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.

All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.

package

Spezifizéierung

Typ	Beschreiwung
Serie	-
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Deel Status	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
FET Feature	-
Power Dissipatioun (Max)	2W (Ta)
Betribssystemer Temperatur	150°C (TJ)
Opriichte Typ	Surface Mount
Fournisseur Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Package / Fall	8-PowerVDFN

KEE OPTIONEN

Stock Status: 70

Minimum: 1

Quantitéit	Eenzelpräis	Ext. Präis
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ

Gidderween Berechnung

US $40 vun FedEx.

Kommt an 3-5 Deeg

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent

Populär Modeller

Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.