Microsemi / 2N6849
Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
2N6849
| Fabrikant Deel Zuel: | 2N6849 |
| Fabrikant beschwéiert: | Microsemi |
| Deel vun Beschreiwung: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Datenblätter: | 2N6849 Datenblätter |
| Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
| Stock Conditioun: | Op Lager |
| Schëff Vun: | Hong Kong |
| Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARK
- Microsemi 2N6849 ass verfügbar op chipnets.com. Mir verkafen nëmmen New&Original Deel a bidden 1 Joer Garantiezäit. Wann Dir méi iwwer d'Produkter wësse wëllt oder méi bessere Präis gëlle wëllt, kontaktéiert eis w.e.g. klickt op den Online Chat oder schéckt eis en Devis.
All Eelctronics Komponente wäerte ganz sécher duerch ESD antistatesche Schutz packen.
Spezifizéierung
| Typ | Beschreiwung |
|---|---|
| Serie | - |
| Package | Bulk |
| Deel Status | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipatioun (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Betribssystemer Temperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opriichte Typ | Through Hole |
| Fournisseur Device Package | TO-39 |
| Package / Fall | TO-205AF Metal Can |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
| Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
|---|---|---|
Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
||
Gidderween Berechnung
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent
An de Weenchen dobäigesat!
Dësen Artikel gouf an Ärem Weenchen bäigefüügt.