Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien
Fabrikant Deel Zuel: | SISH536DN-T1-GE3 |
Fabrikant beschwéiert: | Vishay / Siliconix |
Deel vun Beschreiwung: | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Datenblätter: | SISH536DN-T1-GE3 Datenblätter |
Bleif gratis Status / RoHS Status: | Bleiffräi / RoHS konform |
Stock Conditioun: | Op Lager |
Schëff Vun: | Hong Kong |
Liwwerung Wee: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreiwung |
---|---|
Serie | TrenchFET® Gen V |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Deel Status | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Input Kapazitanz (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 15 V |
FET Feature | - |
Power Dissipatioun (Max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Betribssystemer Temperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Opriichte Typ | Surface Mount |
Fournisseur Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
Package / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |
Stock Status: Selwechten Dag Versand
Minimum: 1
Quantitéit | Eenzelpräis | Ext. Präis |
---|---|---|
![]() Präis ass net verfügbar, w.e.g. RFQ |
US $40 vun FedEx.
Kommt an 3-5 Deeg
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis Versand op éischt 0,5 kg fir Bestellungen iwwer 150 $, Iwwergewiicht gëtt separat berechent